Кристаллизация $\beta$-SiC в тонких слоях SiC$_x$ ($x$ = 0.03–1.4), синтезированных многократной имплантацией ионов углерода в кремний

Методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC$_{1.4}$, SiC$_{0.95}$, SiC$_{0.7}$, SiC$_{0.4}$, SiC$_{0.12}$ и SiC$_{0.03}$, полученных многократной высокодозовой имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 keV в кремний. Рассматривается влияние распада углеродных и углеродно-кремниевых кластеров на формирование тетраэдрических связей Si–C и процессы кристаллизации в слоях кремния с высокой и низкой концентрацией углерода.