|
|
Журнал технической физики, 2011, том 81, выпуск 2, страницы 138–140
(Mi jtf9059)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Краткие сообщения
Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра
С. В. Аверинa, П. И. Кузнецовa, В. А. Житовa, Н. В. Алкеевa, В. М. Котовa, А. А. Дорофеевb, Н. Б. Гладышеваb a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Московская область, Россия
b АО "НПП "Пульсар", 105187 Москва, Россия
Аннотация:
MSM-фотодетекторы на основе AlN/AlGaN-гетероструктур обладают низкими значениями темновых токов, а спектральные характеристики демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования с максимумом чувствительности на длине волны 240 nm.
Поступила в редакцию: 08.04.2010 Принята в печать: 05.07.2010
Образец цитирования:
С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Н. В. Алкеев, В. М. Котов, А. А. Дорофеев, Н. Б. Гладышева, “Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра”, ЖТФ, 81:2 (2011), 138–140; Tech. Phys., 56:2 (2011), 295–297
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf9059 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v81/i2/p138
|
|