|
|
Журнал технической физики, 2011, том 81, выпуск 2, страницы 153–156
(Mi jtf9064)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Краткие сообщения
Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов
М. В. Назаренкоa, Н. В. Сибирёвa, В. Г. Дубровскийab a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Предложена самосогласованная модель роста и структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК). Исследуется вопрос о кристаллической фазе ННК полупроводниковых соединений III–V. Рассчитан критический радиус перехода от гексагональной вюрцитной (WZ) структуры к кубической структуре типа цинковой обманки (ZB) в зависимости от параметров системы материалов и пересыщения газообразной среды. Представленная модель применима как для газофазной, так и для молекулярно-пучковой эпитаксии и позволяет рассчитывать вероятности образования фаз WZ и ZB при различных условиях осаждения.
Поступила в редакцию: 16.06.2010
Образец цитирования:
М. В. Назаренко, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, “Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов”, ЖТФ, 81:2 (2011), 153–156; Tech. Phys., 56:2 (2011), 311–315
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf9064 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v81/i2/p153
|
|