Флуктуирующее кулоновское поле около поверхности ионных диэлектриков

Проведено аналитическое и численное исследование пространственного распределения плотности энергии флуктуирующего электрического поля около поверхности модельного ионного кристалла в зависимости от его температуры. Установлено, что плотность энергии флуктуирующего поля убывает с расстоянием $h$ от поверхности кристалла по закону $h^{-3.3}$. Энергия флуктуирующего поля увеличивается с ростом температуры, и она не нулевая при -273$^\circ$C из-за квантовых нулевых колебаний ионов в решетке.