Влияние электронного облучения на процесс окисления индия

Исследована кинетика окисления индия для двух случаев – при непрерывном электронном облучении ($E_p$ = 1800 eV) и без электронного облучения в зависимости от экспозиции в среде кислорода при парциальном давлении кислорода 10$^{-4}$ Pa и комнатной температуре. Начальная экспозиция кислорода составляла 50 Лэнгмюр. При непрерывном электронном облучении на кинетических кривых наблюдается наличие двух изломов, к которым можно привязать три состояния процесса окисления – физосорбцию, хемосорбцию с образованием нестехиометрического оксидного слоя и рост однородного оксидного слоя. При окислении без электронного облучения в пределах времени эксперимента наблюдался только первый излом, а дальнейшая экспозиция не приводила к выходу на второй излом.