Магнетосопротивление пленок La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$, когерентный рост которых нарушен частичной релаксацией механических напряжений

Вследствие значительного положительного рассогласования ($m$ = 1.8%) в параметрах кристаллических решеток La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$ и LaAlO$_3$, манганитные пленки, сформированные на подложках из алюмината лантана, находятся под действием двухосных сжимающих механических напряжений. Жесткая связь с подложкой обусловливает существенное тетрагональное искажение ($\gamma\approx$ 1.04) элементарной ячейки в прослойке манганитной пленки толщиной порядка 20 nm, выращенной когерентно на (001)LaAlO$_3$, а в остальной части ($\sim$ 75%) объема манганитного слоя напряжения частично релаксировали. Релаксация напряжений сопровождается уменьшением $\gamma$, а эффективный объем элементарной ячейки пленки La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$ при этом возрастает. Релаксированный слой в пленке La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$ состоит из кристаллических зерен с латеральными размерами 50–200 nm, относительная азимутальная разориентация которых составляет приблизительно 0.3 deg. Максимум на температурных зависимостях электросопротивления $\rho$ и отрицательного магнетосопротивления MR выращенных манганитных пленок наблюдается при температуре 240 и 215 K соответственно. При температуре ниже 50 K зависимости $\rho$ от магнитной индукции, измеренные при сканировании последней в последовательности 0 $\to$ 14 T $\to$0, становились гистерезисными.