|
|
Журнал технической физики, 2011, том 81, выпуск 6, страницы 113–119
(Mi jtf9163)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Поверхность, электронная и ионная эмиссия
Модификация поверхностей полевых эмиттеров из карбида вольфрама для локализации эмиссии электронов и ионов
О. Л. Голубев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
С помощью метода полевой эмиссионной микроскопии изучены изменения формы эмиттера из карбида вольфрама при одновременном воздействии сильных электрических полей и высоких температур. Показано, что при этом на поверхности эмиттера наблюдаются те же стадии изменения формы эмиттера, что и для эмиттеров из чистых металлов. Продемонстрирована возможность выращивания на поверхности эмиттера единичного наноразмерного выступа, который может эмитировать заряженные частицы с такой же стабильностью, как и эмиттеры из углеродных материалов. При этом величины эмиссионных токов, плотности токов, углов эмиссии и приведенных яркостей сопоставимы с таковыми для эмиттеров из углеродных нанотрубок, а преимуществами такого единичного наноразмерного выступа являются его полная воспроизводимость и способность эмитировать не только электроны, но и ионы.
Поступила в редакцию: 01.11.2010
Образец цитирования:
О. Л. Голубев, “Модификация поверхностей полевых эмиттеров из карбида вольфрама для локализации эмиссии электронов и ионов”, ЖТФ, 81:6 (2011), 113–119; Tech. Phys., 56:6 (2011), 859–864
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf9163 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v81/i6/p113
|
|