Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2011, том 81, выпуск 6, страницы 153–155 (Mi jtf9171)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe

Р. Г. Валеевab, А. Н. Бельтюковab, В. М. Ветошкинb, Э. А. Романовb, А. А. Елисеевc

a Физико-технический институт Уральского отделения РАН, 42600 Ижевск, Россия
b Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (150 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлен подход к созданию электролюминесцентных устройств, в которых впервые применен рабочий слой из селенида цинка в нанокомпозитном (нанокристаллит в аморфной матрице) состоянии. В отличие от классических тонкопленочных электролюминесцентных источников, для получения излучения с заданной длиной волны в предлагаемых устройствах не требуется легирование рабочего слоя примесями. Для опытного образца устройства исследованы вольт-амперная характеристика и импеданс электролюминесцентного конденсатора. Представлен также спектр электролюминесценции, который имеет максимум при длине волны 335 nm.
Поступила в редакцию: 15.09.2010
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2011, Volume 56, Issue 6, Pages 896–898
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784211060272
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Г. Валеев, А. Н. Бельтюков, В. М. Ветошкин, Э. А. Романов, А. А. Елисеев, “Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe”, ЖТФ, 81:6 (2011), 153–155; Tech. Phys., 56:6 (2011), 896–898
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ValBelVet11}
\by Р.~Г.~Валеев, А.~Н.~Бельтюков, В.~М.~Ветошкин, Э.~А.~Романов, А.~А.~Елисеев
\paper Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe
\jour ЖТФ
\yr 2011
\vol 81
\issue 6
\pages 153--155
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf9171}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325055}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2011
\vol 56
\issue 6
\pages 896--898
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784211060272}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf9171
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v81/i6/p153
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025