Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2011, том 81, выпуск 7, страницы 105–110 (Mi jtf9188)  
Оптика, квантовая электроника

Взаимодействие оптического излучения с управляемой концентрационной и статической диэлектрической неоднородностью в узкозонных полупроводниках

В. В. Антоновa, В. А. Кузнецовb

a Саратовский государственный технический университет, 410054 Саратов, Россия
b Саратовский государственный аграрный университет имени Н. И. Вавилова, 410600, Саратов, Россия
PDF полного текста (201 kB)
Аннотация: Показано, что в некоторых полупроводниках возможно создание управляемой концентрационной неоднородности, которая вызывает отклонение падающего на нее лазерного луча. В антимониде индия этот эффект возникает при температурно-электрической неустойчивости в магнитном поле. В соединении на основе GaAs–GaP этот эффект происходит за счет встроенного градиента статической диэлектрической проницаемости и группировки электронного потока. Рассмотренные эффекты позволяют использовать их для создания дефлектора инфракрасного излучения.
Поступила в редакцию: 12.07.2010
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2011, Volume 56, Issue 7, Pages 1003–1008
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784211070024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Антонов, В. А. Кузнецов, “Взаимодействие оптического излучения с управляемой концентрационной и статической диэлектрической неоднородностью в узкозонных полупроводниках”, ЖТФ, 81:7 (2011), 105–110; Tech. Phys., 56:7 (2011), 1003–1008
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AntKuz11}
\by В.~В.~Антонов, В.~А.~Кузнецов
\paper Взаимодействие оптического излучения с управляемой концентрационной и статической диэлектрической неоднородностью в узкозонных полупроводниках
\jour ЖТФ
\yr 2011
\vol 81
\issue 7
\pages 105--110
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf9188}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20325106}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2011
\vol 56
\issue 7
\pages 1003--1008
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784211070024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf9188
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v81/i7/p105
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025