Формирование тонких пленок сплава Гейслера Co$_2$FeSi на поверхности монокристаллического кремния

Изучены начальные стадии роста пленок сплава Гейслера Co$_2$FeSi на поверхности Si(100)2 $\times$ 1 по методу реактивной эпитаксии и найдены условия формирования данного соединения. Обнаружено, что при температуре подложки, меньшей или равной 180$^\circ$C, на поверхности образца растет островковая пленка тройного сплава Co–Fe–Si, содержание кремния в котором ниже, чем в синтезируемом соединении. Пленка становится сплошной при покрытиях более 1.2 nm. Показано, что повысить содержание кремния в пленке и сформировать сплав Гейслера требуемого состава можно с помощью послеростового отжига при температуре 240$^\circ$C. Исследование магнитных свойств формируемых пленок, проведенное in situ, показало, что их ферромагнитное упорядочение носит пороговый характер и обнаруживается на стадии коалесценции островкового сплава Co–Fe–Si.