Теория стационарных режимов насыщения мощных высоковольтных составных транзисторов

Предложена теория работы мощных высоковольтных составных транзисторов (ВСТ) в стационарных режимах насыщения. В основу теории наряду с другими факторами положен фундаментальный для высоковольтных транзисторных структур эффект модуляции проводимости слаболегированных коллекторных областей. Показано, что в ВСТ в отличие от низковольтных составных транзисторов первым из режима усиления в режим насыщения переходит выходной транзистор. Эти транзисторы целесообразно характеризовать тремя граничными режимами, а не двумя, как одиночные высоковольтные $n^{+}{-}n{-}p{-}n^{+}$-структуры. Основные положения предложенной теории подтверждены результатами эксперимента.