Mendeleev Communications
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Mendeleev Commun.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Mendeleev Communications, 1996, том 6, выпуск 5, страницы 203–205
DOI: https://doi.org/10.1070/MC1996v006n05ABEH000647
(Mi mendc4981)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Influence of tunnelling on the ratio of the activation rate constants of C–C and C–H bonds in ethane by a bare palladium atom

V. M. Mamaeva, I. P. Gloriozova, A. V. Prisyajnukb, Yu. A. Ustynyuka

a Department of Chemistry, M.V. Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russian Federation
b Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russian Federation
Аннотация: Dynamic modeling of ethane oxidative insertion to a bare palladium atom at both C–C and C–H bonds has demonstrated the influence of quantum effects in the more growth of the rate constant of C–H bond activation compared to C–C activation.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский


Образец цитирования: V. M. Mamaev, I. P. Gloriozov, A. V. Prisyajnuk, Yu. A. Ustynyuk, “Influence of tunnelling on the ratio of the activation rate constants of C–C and C–H bonds in ethane by a bare palladium atom”, Mendeleev Commun., 6:5 (1996), 203–205
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mendc4981
  • https://www.mathnet.ru/rus/mendc/v6/i5/p203
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Mendeleev Communications
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025