Стохастическая модель прохождения ультрарелятивистских электронов через толстый монокристалл

Предлагается модель динамики электронов для пучка высокой энергии, проходящего через кристалл с учетом аксиального каналирования, многократного рассеяния и излучения. Модель представляет собой однородный марковский процесс с диффузионной и скачкообразной составляющими, описываемый в виде стохастического дифференциального уравнения. При этом, диффузия отвечает рассеянию, а скачки обусловлены излучением $\gamma$-квантов. Такое описание удобно для численных расчетов не только прохождения, но и других физических характеристик, являющихся функционалами от траекторий марковского процесса, в частности, для характеристик излучения.