Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Математическое моделирование, 1998, том 10, номер 7, страницы 21–24 (Mi mm1299)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Математические модели и вычислительный эксперимент

Влияние режима имплантации на параметры пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии

Т. А. Холомина

Рязанская государственная радиотехническая академия
PDF полного текста (317 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Получены уравнения регрессии, отражающие влияние режима имплантации на величины подвижного заряда, относительной диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии.
Поступила в редакцию: 22.01.1998
Образец цитирования: Т. А. Холомина, “Влияние режима имплантации на параметры пленок $\mathrm{Si0}_2$ на кремнии”, Матем. моделирование, 10:7 (1998), 21–24
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kho98}
\by Т.~А.~Холомина
\paper Влияние режима имплантации на параметры пленок~$\mathrm{Si0}_2$ на кремнии
\jour Матем. моделирование
\yr 1998
\vol 10
\issue 7
\pages 21--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm1299}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm1299
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v10/i7/p21
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Математическое моделирование
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025