Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Наносистемы: физика, химия, математика, 2019, том 10, выпуск 6, страницы 720–724
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724 (Mi nano489) 		 
CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE

Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters

A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, M. V. Gavrikov

Saratov State University, Department of Nanoand Biomedical Technologies, Astrakhanskaya, 83, Saratov, 410012, Russia
PDF полного текста (576 kB)
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724
URL: http://nanojournal.ifmo.ru/en/articles-2/volume10/10-6/chemistry/paper16/
Аннотация: The investigation of indium antimonide quantum dots has been carried out by the methods of differential normalized tunnel current-voltage characteristics, electron microscopy, particle size analysis and spectral dependence of the absorption coefficient. Qualitatively and quantitatively consistent measurement results were obtained with an error less than 15 %. It is concluded that the analysis of normalized differential tunnel current-voltage characteristics is an effective method of express-analysis that can be used in investigation of quantum-sized objects properties.
Ключевые слова: quantum dots, indium antimonide, differential tunnel current-voltage characteristics, energy spectrum.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-07-00087
19-07-00086
This work was supported by grants from the Russian Foundation for Basic Research Projects No. 19-07-00087 and No. 19-07-00086.
Поступила в редакцию: 12.09.2019
Исправленный вариант: 01.11.2019
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 10:6 (2019), 720–724
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikKabGav19}
\by A.~I.~Mikhailov, V.~F.~Kabanov, M.~V.~Gavrikov
\paper Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2019
\vol 10
\issue 6
\pages 720--724
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano489}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000504855900016}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano489
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v10/i6/p720
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Наносистемы: физика, химия, математика
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025