Исследование электрон-фононного взаимодействия в структурах InAs/AlSb в режиме квантующих магнитных полей

Выполнены исследования осцилляций поперечного магнитосопротивления $\rho_{xx}$(B) для образцов InAs/AlSb с различным уровнем легирования при температурах T=(4$\div$28) К. На основе анализа магнитополевой зависимости амплитуды $\rho_{xx}$(B) установлена динамика формирования разрушения квантования Ландау. Выделены компоненты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и выполнены оценки времен релаксации $\tau_{q}$($\tau_{ee}$, $\tau_{e-ph}$). На основе физической модели взаимодействия электронов выявлена роль электрон-фононной релаксации как фактора, стабилизирующего процесс разрушения квантования Ландау. Экспериментальная нелинейная зависимость $\tau_{q}$(T) объяснена рассеянием электронов на пьезоэлектрическом и деформационном потенциале акустических фононов и конкуренцией каналов внутриподзонного и межподзонного рассеяния. Установлена параметрическая зависимость квантового времени релаксации от магнитного поля $\tau_{q}$ $\varpropto$ B$^{-0.6}$.