Анализ фемтосекундной модификации тонких пленок $a$-Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ методом XZ-сканирования

Рассмотрена светоиндуцированная модификация тонких халькогенидных пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ с помощью фемтосекундного лазерного излучения в ближнем ИК диапазоне (1030 nm), реализуемая посредством двухкоординатного (XZ) сканирования. При смещении образца вдоль оси пучка изменялись параметры воздействующего излучения вследствие изменения размера облучаемой области, что обеспечивало последовательную смену характерных режимов модификации: от формирования периодических двухфазных поверхностных структур, кристаллизации, возникновения предабляционных структур до абляции. Продемонстрировано, что XZ-сканирование является удобным способом как для определения необходимых для модификации пленки параметров излучения, так и для определения геометрии пучка.