Люминесцентные свойства индивидуальных центров “кремний-вакансия” в CVD-наноалмазах, выращенных на различных подложках

Применение техники резонансного возбуждения фотолюминесценции при низких температурах с использованием узкополосного перестраиваемого лазера значительно расширяет возможности спектрального исследования отдельных люминесцирующих центров в наноалмазах даже в условиях больших концентраций таких центров. В настоящей работе проведен сравнительный анализ спектральных характеристик индивидуальных центров “кремний-вакансия” (SiV) в наноалмазах, выращенных в режиме спонтанного зарождения на германиевых и кремниевых подложках. Исследуемые наночастицы имеют характерный размер 300 nm и содержат большие ансамбли SiV-центров. Установлено, что при переходе от кремниевых подложек, которые традиционно используются при синтезе алмазов методом химического осаждения из газовой фазы, к германиевым подложкам спектральные характеристики фотолюминесценции SiV-центров практически не изменяются.