Генерация и тушение в XeCl$^*$ эксимерном лазере при накачке смешанным гамма-нейтронным излучением ядерного реактора

Экспериментально обнаружено снижение коэффициента усиления активной среды эксимерного лазера с ядерной накачкой на В–Х- и С–А-переходах молекулы XeCl$^*$ (308 nm, 352 nm) при накачке среды Ar–Xe–CCl$_4$ смешанным гамма-нейтронным излучением ядерного реактора. Эффект обусловлен тушащим действием вторичных электронов, образующихся в активной среде эксимерного лазера под действием мгновенного гамма-излучения. Эффект значительно усиливается при увеличении плотности потока гамма-излучения, и коэффициент потерь может достигать значений $\sim$10$^{-2}$–2 $\cdot$ 10$^{-2}$ сm$^{-1}$.