Оптические спектры фотонно-кристаллической структуры со слоями графена

Исследуется трансформация оптических спектров графен-содержащей фотонно-кристаллической структуры при изменении химпотенциала $(\mu)$ графена. В периоде структуры один слой является графен-содержащей периодической средой (SiO$_2$/Gr)$^n$, а второй предполагается выполненным из чистого кремния. В случае невозбужденного графена ($\mu$ = 0) поглощение в структуре превышает отражение и пропускание для частот, лежащих вне фотонных запрещенных зон. Внутри этих зон большая часть падающего излучения отражается, а прохождение вообще отсутствует. С ростом $\mu$ вне запрещенных зон поглощение уменьшается в области низких частот, а прохождение растет тем сильнее, чем больше $\mu$. В структуре с дефектом инверсии внутри запрещенных зон происходит либо подавление, либо существенная перестройка дефектной моды.