Длинноволновые ($\lambda_{0.1}$ = 10 $\mu$m, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb$_{0.38}$

Исследованы фотоприемники на основе диодной гетероструктуры с фоточувствительной областью из твердого раствора InAsSb$_x$ ($x$ = 0.38) с длинноволновой границей фоточувствительности $\lambda_{0.1}$ около 10 $\mu$m (296 K). Исследованы зависимости плотности темновых токов и обнаружительной способности в интервале температур 200–425 K. Показано, что экспериментальные образцы характеризуются значениями плотности темновых токов около 500 А/сm$^2$ при комнатной температуре, обнаружительной способностью 1.2$\cdot$10$^9$ и 5$\cdot$10$^9$ сmHz$^{1/2}$W$^{-1}$ при комнатной температуре и 250 K соответственно и диффузионным механизмом токопротекания в интервале температур 200–350 K.