Физические аспекты изменений в светоизлучающих структурах с InGaN/GaN квантовыми ямами при нагреве и кратковременных электрических воздействиях

Экспериментально подтверждена возможность улучшения оптических характеристик на начальных этапах старения нитридных квантоворазмерных структур путем нагрева, не превышающего 84$^\circ$С. Сконструированная камера позволяла проводить температурные измерения относительных изменений внешней квантовой эффективности и спектральной плотности низкочастотного шума при нагреве до 100$^\circ$С. Наблюдаемые улучшения внешней квантовой эффективности и оптической мощности ультрафиолетовых светодиодов происходят при более мягких термических воздействиях, чем в синих светодиодах. Объяснения полученных результатов строятся на изменениях в туннельном транспорте носителей в квантовые ямы и взаимодействии возникающих в них дефектов с индием.