Четырехволновое взаимодействие на фазово-амплитудных голографических решетках в фоторефрактивном пьезокристалле класса симметрии $\bar{4}3m$

Представлена система уравнений связанных волн, пригодная для расчета векторных амплитуд линейно поляризованных световых волн при четырехволновом взаимодействии на фазово-амплитудных голографических решетках в кубическом фоторефрактивном полупроводнике произвольного среза, принадлежащем классу симметрии $\bar{4}3m$. На основании численного решения системы уравнений связанных волн рассчитаны графики зависимости интенсивностей поляризационных компонент обращенной световой волны от ориентационного угла для кристалла GaAs среза (110). Проведено сравнение полученных графиков зависимостей с известными теоретическими и экспериментальными данными. Показано, что наилучшее совпадение результатов теоретического моделирования и экспериментальных данных достигается в случае, если при расчете встречного четырехволнового взаимодействия в кристалле GaAs среза (110) допускается формирование нескольких фазово-амплитудных голографических решеток, а также принимается во внимание вклад фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов вместе с поглощением кристалла.