Микрооптопара ($\lambda$ = 3.4 $\mu$m) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО

Рассмотрены фотоэлектрические свойства микрооптопары, предлагаемой для применения в качестве датчика концентрации этанола в водном растворе, использующего метод многократно нарушенного полного внутреннего отражения (МНПВО). Микрооптопара представляет собой микрочип из монолитной двойной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs c тремя мезами/индивидуальными диодами, выращенными на общей подложке $n^+$-InAs, которая выполняла также и роль волновода. Два диода использовались в качестве фотодиодов, один – как светодиод. Для определения концентрации этанола в водном растворе были использованы алгоритмы калибровки и обработки данных, основанные на измерении и учете параметров вольтамперных характеристик фотодиодов и ватт-амперных характеристик светодиода.