Влияние толщины диэлектрической подложки на поглощающие и просветляющие свойства ультратонких пленок меди

Изучена зависимость оптических коэффициентов ультратонких пленок меди толщиной 2–30 nm от толщины подложек. Пленки изготавливались на кварцевых подложках толщиной 4 mm, а толщина подложек (6 и 8 mm) варьировалась путем плотного прижатия чистых подложек с толщинами 2 и 4 mm к 4-mm подложке с пленкой. Измерения проведены в волноводе в диапазоне частот 8.5–12.5 GHz на моде TE$_{10}$ для двух ориентаций пленки по отношению к направлению падающей волны. Зависимости оптических коэффициентов, измеренные при падении волны со стороны пленки и со стороны подложки, существенно отличаются. Показано, что эффект аномально высокого поглощения волн (более 77%) пленками меди толщиной не более 10 nm наблюдается в широкой полосе частот. Максимальное поглощение (77.5%) зарегистрировано на частоте 8.5 GHz при падении волны на пленку толщиной 8.6 nm со стороны 6-mm подложки. Впервые зарегистрирован эффект экстремально малого отражения (0.06%) при падении волны частоты 11.54 GHz на пленку толщиной 7.9 nm со стороны 4-mm подложки. Показано, что частотный диапазон, где наблюдался эффект минимального отражения, превышает полосу просветления диэлектрической пластины с полуволновым резонансом.