Датчик температуры на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом

Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик. В качестве полупроводника рассматривались кремний и германий. Изучено влияние температуры на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что для фотонного кристалла на основе кремния температурная чувствительность фотонного кристалла составляет 0.07 nm/K и 2.6 dB/K в зависимости от метода измерений. Для фотонного кристалла на основе германия – 0.37 nm/K и 7.8 dB/K. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках температуры в качестве чувствительного элемента.