Влияние анизотропии зонной структуры на распространение плазменных колебаний вдоль проводящего нанослоя

Построена теоретическая модель распространения поверхностных плазменных колебаний в проводящем нанослое с учетом симметричного распределения зарядов на границах нанослоя. Считается, что поверхность постоянной энергии проводника представляет собой эллипсоид вращения. Частота поверхностной волны ограничена сверху частотой ближнего ИК диапазона. Толщина нанослоя может быть сравнима или меньше длины волны де Бройля носителя заряда. Поверхностное рассеяние носителей заряда учитывается через граничные условия Соффера. Получены аналитические выражения для коэффициента распространения, коэффициента затухания и длины распространения волны. Проведен анализ зависимостей характеристик поверхностной волны от безразмерных параметров: толщины проводящего слоя, частоты поверхностной волны, химического потенциала, диэлектрической проницаемости изолирующих слоев, параметров шероховатости границ раздела “полупроводник-диэлектрик” и параметра эллиптичности изоэнергетической поверхности.