Люминесценция дефектов $F$-типа и их термическая стабильность в сапфире, облученном импульсными ионными пучками

Исследована люминесценция и термическая стабильность дефектов, образующихся в монокристаллах $\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ после импульсной обработки пучком ионов C$^{+}$/H$^{+}$ с энергией 300 keV и длительностью импульса 80 ns. По результатам измерения оптического поглощения, фотолюминесценции и импульсной катодолюминесценции обнаружено, что такой тип воздействия приводит к интенсивной генерации в $\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ как одиночных $F$- и $F^{+}$-центров, так и более сложных дефектов (агрегатных центров $F_{2}$-типа или вакансионно-примесных комплексов). Термическая стабильность дефектов $F$-типа, образуемых в $\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при воздействии импульсным ионным пучком, сравнима со стабильностью радиационно-индуцированных дефектов в нейтронно-облученных образцах.