Плазмон-стимулированное фотолегирование в тонкослойной структуре As$_{2}$S$_{3}$–Ag

Впервые проведены исследования влияния возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе серебро–халькогенидное стекло на фотостимулированную диффузию серебра в халькогенид. Для возбуждения плазмонов использовалась высокочастотная алюминиевая дифракционная решетка с периодом 248.5 nm, на которую наносилась двухслойная структура Ag–As$_{2}$S$_{3}$. Было установлено, что процесс фотостимулированной диффузии серебра в слой халькогенида ускоряется (т. е. фоточувствительность такой структуры возрастает), когда во время экспонирования на границе Ag–As$_{2}$S$_{3}$ возбуждается поверхностный плазмон-поляритон. Фиксация фотостимулированных изменений оптических характеристик структуры, в том числе и на начальной стадии процесса фотодиффузии, осуществлялась путем регистрации динамики изменений характеристик плазмонного возбуждения со временем экспонирования.