|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1270–1275   ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 |
1
|
|
2014 |
| 2. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797   |
4
|
| 3. |
С. А. Денисов, С. А. Матвеев, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, М. В. Степихова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 417–420 ; S. A. Denisov, S. A. Matveev, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, Yu. N. Drozdov, M. V. Stepikhova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates”, Semiconductors, 48:3 (2014), 402–405 |
1
|
|
