|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, С. В. Воробьев, А. Ю. Плеханов, И. К. Терновых, А. Д. Роенков, М. В. Пузык, Е. И. Шабунина, Е. В. Гущина, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Н. Смирнов, С. Ю. Приображенский, Е. М. Танклевская, “Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции”, Письма в ЖТФ, 51:3 (2025), 13–16   |
|
2023 |
| 2. |
И. А. Елисеев, А. С. Усиков, А. Д. Роенков, С. П. Лебедев, В. Н. Петров, А. Н. Смирнов, А. А. Лебедев, Е. В. Гущина, Е. М. Танклевская, Е. И. Шабунина, М. В. Пузык, Н. М. Шмидт, “Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2216–2219 |
|
2022 |
| 3. |
А. Ю. Плеханов, М. В. Пузык, А. С. Усиков, А. Д. Роенков, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. А. Клотченко, А. В. Васин, Ю. Н. Макаров, “Хемилюминесценция функционализированной поверхности графена”, Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022), 1417–1422 |
| 4. |
И. А. Елисеев, Е. А. Гущина, С. А. Клотченко, А. А. Лебедев, Н. М. Лебедева, С. П. Лебедев, А. В. Нащекин, В. Н. Петров, М. В. Пузык, А. Д. Роенков, А. Н. Смирнов, Е. М. Танклевская, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1137–1143 |
|
2020 |
| 5. |
А. С. Усиков, С. П. Лебедев, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. В. Новиков, М. В. Пузык, А. В. Зубов, Ю. Н. Макаров, А. А. Лебедев, “Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 3–6 ; A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 |
4
|
|
2015 |
| 6. |
А. А. Лебедев, С. В. Белов, М. Г. Мынбаева, А. М. Стрельчук, Е. В. Богданова, Ю. Н. Макаров, А. С. Усиков, С. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, В. В. Козловский, “Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1386–1388 ; A. A. Lebedev, S. V. Belov, M. G. Mynbaeva, A. M. Strel'chuk, E. V. Bogdanova, Yu. N. Makarov, A. S. Usikov, S. Yu. Kurin, I. S. Barash, A. D. Roenkov, V. V. Kozlovsky, “Radiation hardness of $n$-GaN Schottky diodes”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1341–1343 |
6
|
|
2014 |
| 7. |
А. В. Соломонов, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, И. А. Ламкин, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров, “Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 259–264 ; A. V. Solomonov, S. A. Tarasov, E. A. Men'kovich, I. A. Lamkin, S. Yu. Kurin, A. A. Antipov, I. S. Barash, A. D. Roenkov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “Study of the characteristics of ultraviolet light-emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 48:2 (2014), 245–250 |
17
|
| 8. |
Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. В. Сахаров, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Ю. Н. Макаров, H. Helava, “Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 40:13 (2014), 73–80 ; N. M. Shmidt, A. S. Usikov, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. V. Sakharov, S. Yu. Kurin, A. A. Antipov, I. S. Barash, A. D. Roenkov, Yu. N. Makarov, H. Helava, “Study of the degradation of the external quantum efficiency of UV LEDs based on AlGaN/GaN heterostructures grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 40:7 (2014), 574–577 |
1
|
|
1992 |
| 9. |
Ю. А. Водаков, А. И. Гирка, А. О. Константинов, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, С. В. Свирида, В. В. Семенов, В. И. Соколов, А. В. Шишкин, “Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1857–1860 |
| 10. |
Р. Г. Веренчикова, Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1008–1014 |
| 11. |
Ю. А. Водаков, А. А. Вольфсон, Г. В. Зарицкий, Е. Н. Мохов, А. Г. Остроумов, А. Д. Роенков, В. В. Семенов, В. И. Соколов, В. А. Сыралев, В. Е. Удальцов, “Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 107–110 |
|
1991 |
| 12. |
В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных
$p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1209–1216 |
| 13. |
В. С. Вавилов, Ю. А. Водаков, А. И. Иванов, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, М. В. Чукичев, Р. Г. Веренчикова, “Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми
электронами”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 762–766 |
|
1990 |
| 14. |
Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, А. Д. Роенков, М. И. Федоров, Р. Г. Веренчикова, “Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным
«сэндвич$-$методом» в вакууме”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 33–37  |
| 15. |
Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, В. В. Семенов, В. И. Соколов, Р. Г. Веренчикова, А. О. Константинов, В. Г. Одинг, “Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 25–30 |
|
1988 |
| 16. |
А. С. Бараш, Ю. А. Водаков, Е. Н. Кольцова, А. А. Мальцев, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе
гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4H”, Письма в ЖТФ, 14:24 (1988), 2222–2226 |
|
1987 |
| 17. |
Д. П. Литвин, А. А. Мальцев, А. В. Наумов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “$P^{+}-\pi-N^{+}$-структуры на основе карбида кремния с двойной инжекцией”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1247–1251 |
| 18. |
Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, А. Д. Роенков, А. А. Вольфсон, А. С. Трегубова, И. Л. Шульпина, “Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 641–645 |
|
1986 |
| 19. |
С. А. Полтинников, Ю. А. Водаков, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, В. В. Семёнов, А. Д. Роенков, “Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 261–264 |
|
1985 |
| 20. |
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Ударная ионизация в политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 814–818 |
|
1984 |
| 21. |
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале
с естественной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 10:5 (1984), 303–306 |
|
