|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, П. А. Дементьев, Е. В. Гущина, В. Л. Берковиц, E. Lahderanta, А. Н. Титков, “Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии”, ЖТФ, 85:5 (2015), 50–56   ; M. S. Dunaevskii, P. A. Alekseev, P. A. Dementev, E. V. Gushchina, V. L. Berkovits, E. Lahderanta, A. N. Titkov, “Formation of stable charge regions in an array of germanium nanocrystallites inside SiO$_2$ using electrostatic force microscopy”, Tech. Phys., 60:5 (2015), 680–685 |
2
|
|
2014 |
| 2. |
П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, А. Н. Алешин, А. Н. Титков, И. В. Макаренко, “Эффект накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных и композитных (полимер–наночастицы золота) полевых транзисторных структур”, Физика твердого тела, 56:5 (2014), 1015–1018 ; P. A. Dementev, M. S. Dunaevskii, A. N. Aleshin, A. N. Titkov, I. V. Makarenko, “Charge carrier accumulation and relaxation effects in the active region of polymer and composite (polymer-gold nanoparticles) field-effect transistor structures”, Phys. Solid State, 56:5 (2014), 1054–1057 |
4
|
| 3. |
Е. В. Гущина, М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, E. Durğun Özben, И. В. Макаренко, А. Н. Титков, “Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO$_3$”, ЖТФ, 84:10 (2014), 122–126 ; E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, P. A. Alekseev, E. Durğun Özben, I. V. Makarenko, A. N. Titkov, “Behavior of charges locally injected into nanothin high-k SmScO$_3$ dielectric”, Tech. Phys., 59:10 (2014), 1540–1544 |
2
|
|
2013 |
| 4. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, Е. В. Гущина, Е. Дургун Збен, Е. Ляхдеранта, А. Н. Титков, “Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO$_3$ на Si подложке”, Письма в ЖТФ, 39:9 (2013), 47–55 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, E. V. Gushchina, E. Durgun Ozben, E. Lahderanta, A. N. Titkov, “Behavior of locally injected charges in high-k nanolayers of LaScO$_3$ insulator on a Si substrate”, Tech. Phys. Lett., 39:5 (2013), 427–430 |
3
|
| 5. |
М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, M. I. Lepsa, D. Gruetzmacher, А. Н. Титков, “Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 53–60 ; M. S. Dunaevskii, P. A. Alekseev, M. I. Lepsa, D. Gruetzmacher, A. N. Titkov, “Charge accumulation on the surface of GaAs nanowires near the Schottky contact”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 209–212 |
2
|
|
2012 |
| 6. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. В. Стовпяга, M. Lepsa, А. Н. Титков, “Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 659–664 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. V. Stovpyaga, M. Lepsa, A. N. Titkov, “Measurement of Young’s modulus of GaAs nanowires growing obliquely on a substrate”, Semiconductors, 46:5 (2012), 641–646 |
21
|
|
1991 |
| 7. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, А. Н. Титков, “Мелкий акцепторный уровень марганца в антимониде галлия”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 21–24  |
| 8. |
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. М. Погорлецкий, В. А. Смирнов, А. Н. Титков, “Особенности оптической ориентации электронов в сплавах
Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 32–35 |
|
1990 |
| 9. |
А. Н. Титков, В. Н. Чебан, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа
GalnAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1056–1061 |
| 10. |
Р. И. Джиоев, А. Б. Журавлев, Е. Л. Портной, А. Н. Титков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs,
облученном протонами”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 89–93 |
|
1988 |
| 11. |
А. Б. Журавлев, В. А. Марущак, Е. Л. Портной, Н. М. Стельмах, А. Н. Титков, “Время жизни неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs,
облученном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 352–354 |
| 12. |
Г. Е. Пикус, В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических
кристаллах $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 185–200 |
|
1987 |
| 13. |
Г. Н. Илуридзе, А. Н. Титков, Е. И. Чайкина, “Внутризонное поглощение антимонида галлия $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 80–83 |
|
1986 |
| 14. |
Г. Н. Илуридзе, И. Ф. Миронов, А. Н. Титков, В. А. Чебан, “Влияние рассогласования зонных параметров $E_{g}$ и $\Delta_{0}$ на
скорость межзонной оже-рекомбинации в Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 495–498 |
| 15. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Спиновое расщепление зоны проводимости в InP”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 347–350 |
| 16. |
А. Н. Титков, Г. Н. Илуридзе, И. Ф. Миронов, В. А. Чебан, “Межзонная оже-рекомбинация с участием спин-орбитально отщепленной валентной зоны в кристаллах GaSb $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 25–34 |
|
1985 |
| 17. |
В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Оптическая ориентация в деформированных полупроводниковых кристаллах при произвольном направлении деформации”, Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1423–1428 |
| 18. |
Т. С. Лагунова, В. А. Марущак, М. Н. Степанова, А. Н. Титков, “Подвижность неравновесных электронов в кристаллах
GaAs $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 118–122 |
|
1984 |
| 19. |
В. В. Агаев, А. Н. Титков, Е. И. Чайкина, “Примесная оже-рекомбинация в GaSb $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 750–752 |
|
1983 |
| 20. |
В. А. Марущак, М. Н. Степанова, А. Н. Титков, “Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3537–3542 |
1
|
|
