|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, “Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 289–294   |
1
|
|
2022 |
| 2. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, “Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 904–907 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, “Silicon light-emitting diodes with dislocation-related luminescence fabricated with participation of oxygen precipitates”, Semiconductors, 57:7 (2023), 343–346 |
2
|
| 3. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, “Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 542–545 |
1
|
|
2021 |
| 4. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, “Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 928–931 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, E. I. Shek, “Effect of additional implantation with oxygen ions on the dislocation-related luminescence in silicon-containing oxygen precipitates”, Semiconductors, 55:12 (2021), 891–894 |
6
|
|
2020 |
| 5. |
А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 580–584 ; A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, K. V. Karabeshkin, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “Silicon light-emitting diodes with luminescence from (113) defects”, Semiconductors, 54:6 (2020), 687–690 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, “Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1182–1184 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, “Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1133–1135 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, K. V. Karabeshkin, “Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502 |
4
|
| 8. |
Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, D. Yang, “Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 254–258 ; N. A. Sobolev, K. F. Shtel'makh, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, D. Yang, “Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated $p$-Si”, Semiconductors, 50:2 (2016), 252–256 |
2
|
| 9. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, М. В. Коновалов, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 241–244 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, M. V. Konovalov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence”, Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243 |
11
|
|
2015 |
| 10. |
Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, Е. И. Шек, “Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1700–1703 ; N. A. Sobolev, K. F. Shtel'makh, A. E. Kalyadin, E. I. Shek, “Temperature dependences of the photoluminescence intensities of centers in silicon implanted with erbium and oxygen ions”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1651–1654 |
1
|
|
1992 |
| 11. |
Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, В. А. Смирнов, К. Ф. Штельмах, “Структура примесного центра марганца в антимониде галлия”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 89–94 |
|
1991 |
| 12. |
В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, И. Л. Лихолит, И. А. Терлецкий, “ЭПР аксиального центра иттербия в InP”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1375–1380 |
|
1990 |
| 13. |
К. Ф. Штельмах, И. А. Терлецкий, В. В. Романов, “О состоянии европия в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1584–1588 |
| 14. |
К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, В. В. Романов, И. А. Терлецкий, С. В. Штельмах, “Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия,
легированного европием”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1482–1485 |
|
1989 |
| 15. |
В. Ф. Мастеров, А. В. Федоров, С. В. Козырев, К. Ф. Штельмах, “Макроскопические квантовые эффекты в монокристаллах сверхпроводника Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 112–115  |
| 16. |
В. Ф. Мастеров, В. П. Савельев, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, “Свойства сильно легированных кристаллов InP$\langle\text{Yb}\rangle$
и InP$\langle\text{Er}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2229–2231 |
| 17. |
И. М. Аскеров, В. Ф. Кобелев, В. Ф. Мастеров, О. Б. Тагиев, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Лихолит, “О состоянии примеси европия в дефектных соединениях
А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$
по данным ЭПР и эффекта
Мессбауэра”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1307–1309 |
| 18. |
И. М. Аскеров, В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов
A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1305–1307 |
|
1988 |
| 19. |
В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, М. Н. Барбашов, “ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 654–656 |
| 20. |
В. Ф. Мастеров, С. В. Козырев, К. Ф. Штельмах, A. З. Федоров, “Квантовые свойства электромагнитного эффекта в керамиках типа
Y$-$Ba$-$Cu$-$O (1 : 2 : 3)”, Письма в ЖТФ, 14:14 (1988), 1277–1280 |
|
1987 |
| 21. |
В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, “Электронный парамагнитный резонанс Er$^{3+}$ в фосфиде индия”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 365–366 |
|
1986 |
| 22. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и спин-решеточная релаксация ионизованного центра марганца
в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 543–545 |
|
1985 |
| 23. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах, “Идентификация пары Mn$-$S
в арсениде галлия методом ЭПР”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2093–2095 |
| 24. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах, “Состояния типа « спинового стекла» в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1867–1869 |
| 25. |
Л. Ф. Захаренков, С. И. Марков, В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, “ЭПР фосфида индия, легированного европием”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1841–1843 |
| 26. |
В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра
Fe ($3d^{8}$) в GaP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 632–635 |
|
1984 |
| 27. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах, “ЭПР тригонального комплекса Mn$-$Se в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 755–757 |
|
1983 |
| 28. |
В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, К. Ф. Штельмах, “Парамагнитный резонанс и релаксация трехвалентного иттербия в фосфиде индия”, Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1435–1438 |
| 29. |
К. Абдримов, Л. П. Пасечник, А. С. Саидов, М. С. Саидов, К. Ф. Штельмах, “О состоянии центров никеля в GaP”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2205–2208 |
| 30. |
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах, “Исследование дефектов структуры в системе
GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1259–1264 |
| 31. |
В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах, “ЭПР и парамагнитная релаксация гадолиния в InP”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 948–950 |
|
