|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
И. М. Гродненский, Т. Н. Пинскер, К. В. Старостин, И. И. Засавицкий, “Отрицательная фотопроводимость и исследование границы раздела
в гетеропереходах GaAs$-$AlGaAs с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1223–1229  |
| 2. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, К. К. Примбетов, Д. П. Уткин-Эдин, “Исследование спектра локальных состояний $a$-Si : H методом
фотоэлектрической релаксационной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 155–157 |
|
1986 |
| 3. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, М. Н. Стариков, “Энергетический спектр глубоких состояний в щели подвижности
$a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 720–723 |
| 4. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, М. Н. Стариков, “Энергетический спектр глубоких локализованных $D^{0}$-состояний
в $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 550–552 |
|
1985 |
| 5. |
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, Т. Н. Пинскер, М. Н. Стариков, “Исследование плотности локализованных состояний в $a$-Si : Н
методом оптического поглощения”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 48–52 |
|
Обратная связь: