|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, А. А. Климов, Р. Э. Кунков, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 42–52   |
|
2022 |
| 2. |
С. А. Карандашев, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, “Микрооптопара ($\lambda$ = 3.4 $\mu$m) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО”, Оптика и спектроскопия, 130:8 (2022), 1223–1228 |
|
2021 |
| 3. |
С. А. Карандашев, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, “Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения”, Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021), 1193–1197 ; S. A. Karandashov, T. S. Lukhmyrina, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, A. A. Usikova, “On the use of indium arsenide as the waveguide material in the measurements by attenuated total reflectance”, Optics and Spectroscopy, 129:11 (2021), 1231–1235 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, “Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 147–157 ; S. A. Karandashov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, “Indium arsenide-based spontaneous emission sources (review: a decade later)”, Semiconductors, 53:2 (2019), 139–149 |
15
|
|
2018 |
| 5. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 88:2 (2018), 234–237 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “InAsSbP photodiodes for 2.6–2.8-$\mu$m wavelengths”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 226–229 |
7
|
|
2017 |
| 6. |
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275 ; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 |
13
|
|
2016 |
| 7. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 657–662 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “Photodiode 1 $\times$ 64 linear array based on a double $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs heterostructure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651 |
3
|
|
2014 |
| 8. |
С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, “Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)”, ЖТФ, 84:11 (2014), 52–57 ; S. A. Karandashov, B. A. Matveev, V. I. Ratushnyi, M. A. Remennyi, A. Yu. Rybalchenko, N. M. Stus, “Current-voltage characteristics and photocurrent collection in radially symmetric front-surface-illuminated InAsSb(P) photodiodes”, Tech. Phys., 59:11 (2014), 1631–1635 |
2
|
| 9. |
P. N. Brunkov, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, A. S. Petrov, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus, “$P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1394–1397 ; Semiconductors, 48:10 (2014), 1359–1362 |
7
|
|
2013 |
| 10. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. М. Латникова, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Е. Н. Севостьянов, Н. М. Стусь, “Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs”, Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 45–52 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus, “Cooled photodiodes based on a type-II single $p$-InAsSbP/$n$-InAs heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 818–821 |
4
|
|
2012 |
| 11. |
Н. Д. Ильинская, А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, А. Е. Черняков, “Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 708–713 ; N. D. Il'inskaya, A. L. Zakhgeim, S. A. Karandashov, B. A. Matveev, V. I. Ratushnyi, M. A. Remennyi, A. Yu. Rybalchenko, N. M. Stus, A. E. Chernyakov, “Front surface illuminated InAsSb photodiodes (long-wavelength cutoff $\lambda_{0.1}$ = 4.5 $\mu$m) operating at temperatures of 25–80$^\circ$C”, Semiconductors, 46:5 (2012), 690–695 |
4
|
| 12. |
С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, И. В. Мжельский, В. Г. Половинкин, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, “Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 258–261 ; S. A. Karandashov, B. A. Matveev, I. V. Mzhelskii, V. G. Polovinkin, M. A. Remennyi, A. Yu. Rybalchenko, N. M. Stus, “Nonuniformity in the spatial distribution of negative luminescence in InAsSb(P) photodiodes (long-wavelength cutoff $\lambda_{0.1}$ = 5.2 $\mu$m)”, Semiconductors, 46:2 (2012), 247–250 |
2
|
| 13. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 38:5 (2012), 85–90 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, “Uncooled photodiodes based on InAsSb(P) with long-wavelength cut-off at $\lambda$ = 5.8 $\mu$m”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 242–244 |
2
|
|
1992 |
| 14. |
М. Айдаралиев, Г. Г. Зегря, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Природа температурной зависимости пороговой плотности тока
длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 246–256 |
|
1991 |
| 15. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Светодиоды на основе InAsSbP
для анализа окислов углерода”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 75–79  |
|
1989 |
| 16. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Н. М. Стусь, “Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых
растворов InAsSbP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 592–596 |
| 17. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Низкопороговые лазеры
$3{-}3.5$ мкм
на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 49–52 |
|
1988 |
| 18. |
М. Ш. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Стимулированное излучение
(3$-$3.3 мкм, 77 K)
при инжекции тока в пластически деформированных ДГС
InAsSbP/InAs”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1617–1621 |
|
1987 |
| 19. |
Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Ю. Ю. Билинец, “Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев
и $p{-}n$-структур на
основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As
(${0 < x < 0.23}$)”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1079–1084 |
| 20. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 563–565 |
| 21. |
М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 329–331 |
|
1986 |
| 22. |
Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, “Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$”, Письма в ЖТФ, 12:23 (1986), 1444–1447 |
|
1983 |
| 23. |
Н. П. Есина, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Г. М. Филаретова, “Структура металл–полупроводник на основе
$p$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 991–996 |
|
