|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. И. Смирнов, В. А. Сергеев, А. А. Гавриков, “Особенности измерения теплового сопротивления микросборки мощных нитрид-галлиевых НЕМТ с кремниевым MOSFET, включенных по каскодной схеме”, Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025), 1028–1031  |
|
2024 |
| 2. |
С. В. Васин, В. А. Сергеев, “Влияние изгиба на электропроводность пленок полимерных нанокомпозитов с одностенными углеродными нанотрубками”, Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2102–2104  |
| 3. |
И. В. Фролов, В. А. Сергеев, О. А. Радаев, А. А. Казанков, “Исследование связи концентрации дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетероструктур с параметрами ватт-амперной характеристики”, Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024), 1138–1141 |
|
2023 |
| 4. |
С. В. Васин, В. А. Сергеев, “Моделирование и расчет распределения минимального расстояния между углеродными нанотрубками с разной степенью ориентации в полимерной матрице”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2104–2106 |
| 5. |
В. А. Сергеев, И. В. Фролов, А. А. Казанков, “Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1461–1463 |
|
2021 |
| 6. |
И. В. Фролов, В. А. Сергеев, О. А. Радаев, “Измерение внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода”, ЖТФ, 91:8 (2021), 1264–1267 ; I. V. Frolov, V. A. Sergeev, O. A. Radaev, “A method for measuring the internal quantum efficiency of InGaN LED emission”, Tech. Phys., 66:10 (2021), 1107–1110  |
2
|
|
2020 |
| 7. |
С. В. Васин, М. С. Ефимов, В. А. Сергеев, “Особенности токопереноса в пленках поливинилового спирта с включениями многостенных углеродных нанотрубок на подложках Si”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 26–29 ; S. V. Vasin, M. S. Efimov, V. A. Sergeev, “Characteristics of current transfer in PVA films with dispersed multiwall carbon nanotubes on silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 595–598 |
5
|
| 8. |
В. В. Кожевников, М. Ю. Леонтьев, В. В. Приходько, В. А. Сергеев, А. Н. Фомин, “Технология построения (синтеза) интеллектуальных систем управления роботами на основе математической модели когнитивного цифрового автомата”, Ученые записки УлГУ. Серия "Математика и информационные технологии", 2020, № 1, 58–71 |
|
2019 |
| 9. |
В. А. Сергеев, Е. С. Климов, И. В. Фролов, “Влияние функционализации на электропроводность и шумовые характеристики массивов многостенных углеродных нанотрубок”, ЖТФ, 89:8 (2019), 1223–1228 ; V. A. Sergeev, E. S. Klimov, I. V. Frolov, “Effect of functionalization on the conductivity and noise characteristics of arrays of multiwall carbon nanotubes”, Tech. Phys., 64:8 (2019), 1155–1160 |
3
|
| 10. |
В. В. Кожевников, М. Ю. Леонтьев, В. В. Приходько, В. А. Сергеев, А. Н. Фомин, “Нейросетевые технологии построения интеллектуальных систем управления роботами”, Ученые записки УлГУ. Серия "Математика и информационные технологии", 2019, № 2, 36–53 |
1
|
| 11. |
В. В. Кожевников, М. Ю. Леонтьев, В. В. Приходько, В. А. Сергеев, Е. С. Языкова, “Прогнозирование решений на основе математической модели когнитивных цифровых автоматов”, Ученые записки УлГУ. Серия "Математика и информационные технологии", 2019, № 1, 52–64 |
|
2017 |
| 12. |
В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев, “Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 89–93 ; V. A. Sergeev, I. V. Frolov, O. A. Radaev, “The relationship between the defectness of emitting nanoheterostructures of green InGaN/GaN LEDs and their threshold current values”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 224–226 |
4
|
|
2016 |
| 13. |
В. А. Сергеев, А. М. Ходаков, “Динамическая теплоэлектрическая модель светоизлучающей структуры со слоем растекания тока”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1100–1105 ; V. A. Sergeev, A. M. Hodakov, “Dynamic thermoelectric model of a light-emitting structure with a current spreading layer”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1079–1084 |
1
|
|
2012 |
| 14. |
В. А. Сергеев, А. М. Ходаков, “Нелинейная тепловая модель гетеропереходного светодиода”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 691–694 ; V. A. Sergeev, A. M. Hodakov, “Nonlinear thermal model of a heterojunction-based light-emitting diode”, Semiconductors, 46:5 (2012), 673–677 |
1
|
|
