|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, Е. И. Рюмцев, А. П. Ковшик, В. Ю. Михайловский, “Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 202–204   ; A. M. Yafyasov, V. B. Bozhevol'nov, E. I. Ryumtsev, A. P. Kovshik, V. Yu. Mikhailovskii, “New mechanism of semiconductor polarization at the interface with an organic insulator”, Semiconductors, 51:2 (2017), 193–195 |
|
2014 |
| 2. |
В. Б. Божевольнов, А. М. Яфясов, В. Ю. Миайловский, Ю. В. Егорова, А. А. Соколов, Е. О. Филатова, “Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 814–817 ; V. B. Bozhevol'nov, A. M. Yafyasov, V. Yu. Miailovskii, Yu. V. Egorova, A. A. Sokolov, E. O. Filatova, “Electrical properties of a SiC–Si multilayer structure”, Semiconductors, 48:6 (2014), 792–795 |
|
2013 |
| 3. |
Г. Н. Фурсей, А. А. Кантонистов, М. А. Поляков, А. М. Яфясов, Б. С. Павлов, В. Б. Божевольнов, “Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур”, ЖТФ, 83:6 (2013), 71–77 ; G. N. Fursei, A. A. Kantonistov, M. A. Polyakov, A. M. Yafyasov, B. S. Pavlov, V. B. Bozhevol'nov, “Field and explosive emissions from graphene-like structures”, Tech. Phys., 58:6 (2013), 845–851 |
44
|
|
1992 |
| 4. |
А. М. Яфясов, А. Д. Перепелкин, В. Б. Божевольнов, “Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 636–643 |
|
1984 |
| 5. |
О. В. Романов, В. Б. Божевольнов, Ю. Н. Мясоедов, “Эффект поля на поверхности полуметалла HgTe и полупроводника
Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1064–1068 |
|
