|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. М. Калыгина, О. С. Киселева, В. В. Копьев, Б. О. Кушнарев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, “Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr”, ЖТФ, 93:11 (2023), 1631–1636   |
|
2022 |
| 2. |
В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, “Фотодиоды на основе структур Ga$_2$O$_3$/$n$-GaAs, способные работать в автономном режиме”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 928–932 |
|
2021 |
| 3. |
В. М. Калыгина, А. В. Цымбалов, А. В. Алмаев, Ю. С. Петрова, “Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 264–268 ; V. M. Kalygina, A. V. Tsymbalov, A. V. Almaev, Yu. S. Petrova, “Influence of electrode topology on the parameters of solar-blind UV detectors”, Semiconductors, 55:3 (2021), 341–345 |
2
|
|
2020 |
| 4. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1035–1040 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, V. V. Kopyev, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Effect of ultraviolet radiation and electric field on the conductivity of structures based on $\alpha$- and $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1224–1229 |
2
|
| 5. |
В. М. Калыгина, А. В. Алмаев, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, “Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 575–579 ; V. M. Kalygina, A. V. Almaev, V. А. Novikov, Yu. S. Petrova, “Solar-blind UV detectors based on $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films”, Semiconductors, 54:6 (2020), 682–686 |
19
|
| 6. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 33–36 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Properties of resistive structures based on gallium oxide polymorphic phases”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 867–870 |
2
|
|
2019 |
| 7. |
В. М. Калыгина, Т. З. Лыгденова, Ю. С. Петрова, Е. В. Черников, “Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 468–473 ; V. M. Kalygina, T. Z. Lygdenova, Yu. S. Petrova, E. V. Chernikov, “Influence of the substrate material on the properties of gallium-oxide films and gallium-oxide-based structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 452–457 |
3
|
| 8. |
В. М. Калыгина, Т. З. Лыгденова, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, Т. М. Яскевич, “Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 411–417 ; V. M. Kalygina, T. Z. Lygdenova, V. А. Novikov, Yu. S. Petrova, A. V. Tsymbalov, T. M. Yaskevich, “Structure and properties of gallium-oxide films produced by high-frequency magnetron-assisted deposition”, Semiconductors, 53:3 (2019), 388–394 |
5
|
|
2015 |
| 9. |
В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, С. Ю. Цупий, “Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1036–1042 ; V. M. Kalygina, Yu. S. Petrova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, S. Yu. Tsupiy, “Deep centers in TiO$_2$-Si structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1012–1018 |
1
|
| 10. |
В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, Ю. С. Петрова, И. А. Прудаев, Т. М. Яскевич, “Фотоэлектрические характеристики структур металл – Ga$_2$O$_3$–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 357–363 ; V. M. Kalygina, V. V. Vishnikina, Yu. S. Petrova, I. A. Prudaev, T. M. Yaskevich, “Photoelectric characteristics of metal – Ga$_2$O$_3$–GaAs structures”, Semiconductors, 49:3 (2015), 345–351 |
4
|
|
2014 |
| 11. |
В. М. Калыгина, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, Е. В. Черников, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO$_2$–Si”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 989–994 ; V. M. Kalygina, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Effect of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the properties of TiO$_2$–Si structures”, Semiconductors, 48:7 (2014), 961–966 |
5
|
| 12. |
В. М. Калыгина, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, Е. В. Черников, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Свойства пленок TiO$_2$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 759–762 ; V. M. Kalygina, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Properties of TiO$_2$ films on silicon substrate”, Semiconductors, 48:6 (2014), 739–742 |
2
|
|
2013 |
| 13. |
В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1137–1143 ; V. M. Kalygina, V. V. Vishnikina, A. N. Zarubin, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Effect of annealing in argon on the properties of thermally deposited gallium-oxide films”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1130–1136 |
2
|
| 14. |
В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 598–603 ; V. M. Kalygina, A. N. Zarubin, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Gallium-oxide films obtained by thermal evaporation”, Semiconductors, 47:5 (2013), 612–618 |
7
|
|
2012 |
| 15. |
В. М. Калыгина, К. И. Валиев, А. Н. Зарубин, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич, “Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1027–1031 ; V. M. Kalygina, K. I. Valiev, A. N. Zarubin, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, T. M. Yaskevich, “Electrical characteristics of $n$-GaAs-anode film-Ga$_2$O$_3$-metal structures”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1003–1007 |
4
|
| 16. |
В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, Е. П. Найден, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич, “Анодные пленки Ga$_2$O$_3$. Влияние термического отжига на свойства пленок”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 278–284 ; V. M. Kalygina, A. N. Zarubin, E. P. Naiden, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, T. M. Yaskevich, “The effect of annealing on the properties of Ga$_2$O$_3$ anodic films”, Semiconductors, 46:2 (2012), 267–273 |
11
|
|
