|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. А. Образцова, А. А. Пивоварова, С. Д. Комаров, И. С. Федосов, К. А. Иванов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, И. С. Махов, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 37–42  |
| 2. |
Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 34–37  |
| 3. |
Э. И. Моисеев, С. Д. Комаров, К. А. Иванов, А. Ф. Цацульников, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, А. В. Сахаров, Д. С. Артеев, А. Е. Николаев, Е. Е. Заварин, Д. А. Масютин, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, “Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии”, Письма в ЖТФ, 51:11 (2025), 41–45 |
|
2024 |
| 4. |
Н. А. Калюжный, С. С. Кижаев, С. А. Минтаиров, А. А. Пивоварова, Р. А. Салий, А. В. Черняев, “Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 15–18 |
|
2023 |
| 5. |
А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 710–715 |
| 6. |
Е. В. Куницына, Я. А. Пархоменко, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 89–94 |
|
2022 |
| 7. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, Я. Я. Понуровский, А. И. Надеждинский, А. С. Кузьмичев, Д. Б. Ставровский, М. В. Спиридонов, “Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 508–515 |
1
|
|
2021 |
| 8. |
А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687 |
| 9. |
Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 607–613 ; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 |
1
|
|
2020 |
| 10. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683 ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
| 11. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 202–206 ; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 |
6
|
|
2019 |
| 12. |
В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Л. К. Власов, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1427–1430 ; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, L. K. Vlasov, A. A. Pivovarova, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1389–1392 |
7
|
|
2018 |
| 13. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099 ; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 |
5
|
|
2017 |
| 14. |
М. А. Ройз, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, Д. С. Буренина, А. А. Пивоварова, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1273–1277 ; M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228 |
|
2015 |
| 15. |
И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. А. Пивоварова, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1720–1726 ; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1671–1677 |
5
|
|
