|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. И. Веретенников, М. В. Рахлин, Ю. М. Серов, А. И. Галимов, Г. П. Вейшторт, С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Салий, Д. С. Березина, Е. В. Никитина, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025), 189–193  ; A. I. Veretennikov, M. V. Rakhlin, Yu. M. Serov, A. I. Galimov, G. P. Veishtort, S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. P. Vasiliev, A. G. Kuzmenkov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, J. A. Salii, D. S. Berezina, E. V. Nikitina, A. A. Toropov, “Single-photon emission in the telecom C-band in a micropillar cavity with an InAs/InGaAs quantum dot”, JETP Letters, 121:3 (2025), 170–174 |
| 2. |
Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. К. Кавеев, В. В. Федоров, “Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 7–10  |
|
2024 |
| 3. |
П. Е. Копытов, И. А. Старков, И. И. Новиков, С. А. Блохин, Д. С. Папылев, Р. В. Левин, В. В. Андрюшкин, Я. Н. Ковач, Е. В. Никитина, К. О. Воропаев, Л. Я. Карачинский, “Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 48–52 |
| 4. |
А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Е. В. Никитина, И. П. Сошников, “Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 3–6 |
|
2022 |
| 5. |
П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 547–552 |
|
2021 |
| 6. |
А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080 |
| 7. |
Л. И. Горай, Е. В. Пирогов, М. В. Свечников, М. С. Соболев, Н. К. Поляков, Л. Г. Герчиков, Е. В. Никитина, А. С. Дашков, М. М. Борисов, С. Н. Якунин, А. Д. Буравлев, “Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 7–10 ; L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. V. Svechnikov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, L. G. Gerchikov, E. V. Nikitina, A. S. Dashkov, M. M. Borisov, S. N. Yakunin, A. D. Bouravlev, “High-precision characterization of super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices using X-ray reflectometry on a synchrotron source”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 757–760 |
7
|
|
2020 |
| 8. |
В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ф. Н. Чуховский, Е. В. Никитина, “Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 557–563 ; V. E. Asadchikov, I. G. D'yachkova, D. A. Zolotov, F. N. Chukhovskii, E. V. Nikitina, “Correcting the characteristics of silicon photodiodes by ion implantation”, Semiconductors, 54:6 (2020), 666–671 |
2
|
| 9. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 346–354 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 |
2
|
|
2019 |
| 10. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, А. М. Мизеров, А. Д. Буравлев, “Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1726–1732 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, A. M. Mizerov, A. D. Bouravlev, “The metal-assisted photochemical etching of N- and Ga-face GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1717–1723 |
3
|
| 11. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, К. Ю. Шубин, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Д. Буравлев, “Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1212–1217 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 |
5
|
| 12. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
| 13. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 70–76 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71 |
|
2018 |
| 14. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
18
|
| 15. |
Г. Позина, М. А. Калитеевский, Е. В. Никитина, А. Р. Губайдуллин, К. А. Иванов, А. Ю. Егоров, “Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 736–740 ; G. Pozina, M. A. Kaliteevskii, E. V. Nikitina, A. R. Gubaidullin, K. A. Ivanov, A. Yu. Egorov, “Experimental study of spontaneous emission in Bragg multiple- quantum-well structures with InAs single-layer quantum wells”, Semiconductors, 52:7 (2018), 877–880 |
| 16. |
Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 524 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663 |
5
|
|
2017 |
| 17. |
Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280 ; N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, A. Lazarenko, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4$^\circ$ substrates”, Semiconductors, 51:2 (2017), 267–271 |
4
|
| 18. |
К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, “Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 47–54 ; K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, “The effect of nitridation parameters and initial growth conditions on the polarity of GaN epitaxial layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 976–978 |
5
|
| 19. |
Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102 ; E. V. Nikitina, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, T. N. Berezovskaya, “The influence of metamorphic-buffer layer design on the retention of characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic HEMT”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865 |
1
|
|
2016 |
| 20. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 |
11
|
| 21. |
А. В. Бабичев, A. Bousseksou, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Е. В. Никитина, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1320–1324 ; A. V. Babichev, A. Bousseksou, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, E. V. Nikitina, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, “Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 $\mu$m”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1299–1303 |
21
|
| 22. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
| 23. |
С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79 ; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 |
3
|
| 24. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 14–19 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “The influence of an In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 284–286 |
3
|
|
2015 |
| 25. |
А. Ю. Егоров, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Е. В. Никитина, M. Tchernycheva, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1574–1577 ; A. Yu. Egorov, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, E. V. Nikitina, M. Tchernycheva, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-$\mu$m under current pumping”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1527–1530 |
17
|
| 26. |
А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, “Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1448–1452 ; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, A. V. Babichev, D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, I. A. Morozov, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, “Study of multiple InAs/GaAs quantum-well structures by electroreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1400–1404 |
2
|
| 27. |
М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. С. Гудовских, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 569–572 ; M. S. Sobolev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, A. Yu. Egorov, “MBE growth of GaP on a Si substrate”, Semiconductors, 49:4 (2015), 559–562 |
22
|
| 28. |
А. И. Баранов, А. С. Гудовских, К. С. Зеленцов, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 534–538 ; A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, K. S. Zelentsov, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Admittance spectroscopy of solar cells based on GaPNAs layers”, Semiconductors, 49:4 (2015), 524–528 |
2
|
| 29. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, Д. В. Денисов, А. Ю. Егоров, “Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 489–493 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, D. V. Denisov, A. Yu. Egorov, “Photoluminescence of heterostructures with GaP$_{1-x}$N$_x$ and GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$ layers grown on GaP and Si substrates by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:4 (2015), 479–482 |
7
|
| 30. |
А. М. Мизеров, П. Н. Кладько, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 283–286 ; A. M. Mizerov, P. N. Kladko, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Control over the morphology of AlN during molecular beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen on Si (111) substrates”, Semiconductors, 49:2 (2015), 274–277 |
3
|
|
2014 |
| 31. |
М. А. Бобров, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, Ю. М. Задиранов, Е. В. Никитина, В. М. Устинов, “Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1697–1703 ; M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, E. V. Nikitina, V. M. Ustinov, “Effect of the photon lifetime on the characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with fully doped distributed Bragg reflectors and an oxide current aperture”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1657–1663 |
4
|
| 32. |
А. Ю. Егоров, П. Н. Брунков, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, С. Г. Конников, “Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1640–1645 ; A. Yu. Egorov, P. N. Brunkov, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Lazarenko, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, S. G. Konnikov, “Multiperiod quantum-cascade nanoheterostructures: Epitaxy and diagnostics”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1600–1604 |
8
|
| 33. |
Н. Р. Григорьева, А. Ю. Егоров, Д. А. Зайцев, Е. В. Никитина, Р. П. Сейсян, “Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 774–780 ; N. R. Grigor'eva, A. Yu. Egorov, D. A. Zaitsev, E. V. Nikitina, R. P. Seisyan, “Evaluation of the quality of GaAs epitaxial layers and their interfaces from analysis of the exciton absorption spectra”, Semiconductors, 48:6 (2014), 754–759 |
1
|
| 34. |
А. В. Бабичев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 518–522 ; A. V. Babichev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Ultra-wide electroluminescence spectrum of LED heterostructures based on GaPAsN semiconductor alloys”, Semiconductors, 48:4 (2014), 501–504 |
8
|
| 35. |
А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 407–411 ; A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Molecular beam epitaxy of GaPN, GaPAsN, and InGaPN nitride solid solutions”, Semiconductors, 48:3 (2014), 392–396 |
7
|
| 36. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 396–401 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Design of multijunction GaPNAs/Si heterostructure solar cells by computer simulation”, Semiconductors, 48:3 (2014), 381–386 |
13
|
|
2013 |
| 37. |
А. И. Баранов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013), 88–94 ; A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Photoelectric properties of solar cells based on GaPNAs/GaP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1117–1120 |
18
|
| 38. |
Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, А. Ю. Егоров, “Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013), 81–87 ; E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, A. Yu. Egorov, “Dependence of the hybridization parameter on nitrogen molar fraction in nitrogen-containing GaPN solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1114–1116 |
|
2012 |
| 39. |
В. В. Чалдышев, Е. В. Кунделев, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, А. А. Горбацевич, “Резонансное отражение света периодической системой экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1039–1042 ; V. V. Chaldyshev, E. V. Kundelev, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, A. A. Gorbatsevich, “Resonance reflection of light by a periodic system of excitons in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1016–1019 |
18
|
| 40. |
А. В. Бабичев, В. Ю. Бутко, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 815–819 ; A. V. Babichev, V. Yu. Butko, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “Electroluminescence of GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ nanoheterostructures through a transparent electrode made of CVD graphene”, Semiconductors, 46:6 (2012), 796–800 |
8
|
|
