|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Е. А. Питиримова, “Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки””, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1129–1133   ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, E. A. Pitirimova, “Growth of a ge layer on a Si/SiO$_{2}$/Si (100) structure by the hot wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1332–1335 |
2
|
|
2017 |
| 2. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222 |
3
|
| 3. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Ю. М. Кузнецов, А. В. Здоровейщев, Е. А. Питиримова, “Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1456–1461 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Zdoroveyshchev, E. A. Pitirimova, “Thermoelectric effects in nanoscale layers of manganese silicide”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1403–1408 |
4
|
|
2016 |
| 4. |
Ю. А. Данилов, H. Boudinov, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. А. Питиримова, Р. Р. Якубов, “Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2140–2144 ; Yu. A. Danilov, H. Boudinov, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, E. A. Pitirimova, R. R. Yakubov, “Formation of the single-phase ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2218–2222 |
4
|
| 5. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Е. А. Питиримова, “Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 63–71 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, E. A. Pitirimova, “Nonlinear room-temperature Hall effect in $n$-InFeAs layers”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 88–92 |
6
|
|
