|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королёва, О. П. Толбанов, “Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 21–29   ; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, A. D. Koroleva, O. P. Tolbanov, “Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche $S$-diodes based on GaAs”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 465–468 |
12
|
|
