|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, В. В. Олейник, Р. А. Салий, А. Ф. Скачков, Л. Н. Скачкова, М. З. Шварц, “Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 51:13 (2025), 40–43   |
|
2024 |
| 2. |
М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, Н. В. Протасевич, И. Б. Чистохин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, В. В. Олейник, С. В. Янчур, А. В. Дрондин, “Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой”, ЖТФ, 94:5 (2024), 783–794 |
|
2019 |
| 3. |
М. А. Путято, Н. А. Валишева, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, Г. И. Юрко, И. И. Нестеренко, “Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1071–1078 ; M. A. Putyato, N. A. Valisheva, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, A. F. Skachkov, G. I. Yurko, I. I. Nesterenko, “A lightweight flexible solar cell based on a heteroepitaxial InGaP/GaAs structure”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1010–1016 |
4
|
|
2015 |
| 4. |
А. Ф. Скачков, “Полупроводниковые соединения GaInP, легированные изовалентной примесью Sb”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 593–595 ; A. F. Skachkov, “GaInP semiconductor compounds doped with the Sb isovalent impurity”, Semiconductors, 49:5 (2015), 579–581 |
|
