|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492   ; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad'ko, N. V. Safryuk-Romanenko, A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko, “Features of the temperature dependence of the specific contact resistance of Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si diffusion silicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476 |
|
2016 |
| 2. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651 |
2
|
|
2015 |
| 3. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Кладько, П. Н. Романец, П. О. Сай, Н. В. Сафрюк, В. Н. Шеремет, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 472–482 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Klad'ko, P. N. Romanets, P. O. Saja, N. V. Safryuk, V. N. Sheremet, “Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to $n^+$-InN”, Semiconductors, 49:4 (2015), 461–471 |
7
|
|
2014 |
| 4. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Л. М. Капитанчук, В. Н. Шеремет, Ю. Н. Свешников, А. С. Пилипчук, “Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1344–1347 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, L. M. Kapitanchuk, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov, A. S. Pilipchuk, “Mechanism of current flow in a Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN ohmic contact in the temperature range of 4.2–300 K”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1308–1311 |
3
|
| 5. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, В. А. Анищик, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. О. Виноградов, В. Н. Шеремет, “Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 509–513 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, V. A. Anischik, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. O. Vinogradov, V. N. Sheremet, “Current flow through metal shunts in ohmic contacts to $n^+$-Si”, Semiconductors, 48:4 (2014), 492–496 |
3
|
|
2013 |
| 6. |
В. В. Басанец, Н. С. Болтовец, А. В. Гуцул, А. В. Зоренко, В. Г. Ральченко, А. Е. Беляев, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Кучук, В. В. Миленин, “Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки”, ЖТФ, 83:3 (2013), 113–117 ; V. V. Basanets, N. S. Boltovets, A. V. Gutsul, A. V. Zorenko, V. G. Ral'chenko, A. E. Belyaev, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, V. V. Milenin, “Integrated microwave (centimeter-range) modulator on polycrystalline diamond layers”, Tech. Phys., 58:3 (2013), 420–424 |
1
|
| 7. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Ю. В. Жиляев, Л. М. Капитанчук, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Наумов, В. Н. Пантелеев, В. Н. Шеремет, “Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1191–1195 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Naumov, V. N. Panteleev, V. N. Sheremet, “Formation mechanism of contact resistance to III–N heterostructures with a high dislocation density”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1180–1184 |
1
|
| 8. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, А. О. Виноградов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Костылев, Я. Я. Кудрик, В. П. Кладько, В. Н. Шеремет, “К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 426–431 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. O. Vinogradov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kostylyov, Ya. Ya. Kudryk, V. P. Klad'ko, V. N. Sheremet, “The mechanism of contact-resistance formation on lapped $n$-Si surfaces”, Semiconductors, 47:3 (2013), 449–454 |
7
|
|
2012 |
| 9. |
А. Е. Беляев, А. В. Саченко, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, Л. А. Матвеева, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, “Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 558–561 ; A. E. Belyaev, A. V. Sachenko, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, L. A. Matveeva, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, “Effect of microwave irradiation on the resistance of Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP) ohmic contacts”, Semiconductors, 46:4 (2012), 541–544 |
2
|
| 10. |
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, А. В. Бобыль, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, Д. А. Саксеев, И. С. Тарасов, В. Н. Шеремет, М. А. Яговкина, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 348–355 ; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, A. V. Bobyl', N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, D. A. Sakseev, I. S. Tarasov, V. N. Sheremet, M. A. Yagovkina, “Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts to III–V compounds with a high dislocation density”, Semiconductors, 46:3 (2012), 334–341 |
9
|
| 11. |
А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Саченко, В. Н. Шеремет, А. О. Виноградов, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 344–347 ; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko, V. N. Sheremet, A. O. Vinogradov, “Temperature dependence of contact resistance for Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si ohmic contacts subjected to microwave irradiation”, Semiconductors, 46:3 (2012), 330–333 |
7
|
|
