|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Геометрия квантовых точек InSb, выращенных на поверхности матричного слоя In(As,Sb)”, Физика твердого тела, 67:8 (2025), 1426–1431  |
| 2. |
Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 34–37  |
|
2023 |
| 3. |
Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 645–651 |
| 4. |
Е. В. Куницына, Я. А. Пархоменко, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 89–94 |
|
2017 |
| 5. |
Л. А. Cокура, Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, “Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1146–1150 ; L. A. Sokura, Ya. A. Parkhomenko, K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, “InSb quantum dots produced by liquid-phase epitaxy on InGaAsSb/GaSb substrates”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1101–1105 |
8
|
|
2016 |
| 6. |
Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 993–996 ; Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:7 (2016), 976–979 |
5
|
|
2013 |
| 7. |
Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1536–1541 ; Ya. A. Parkhomenko, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Specific features of electroluminescence in heterostructures with InSb quantum dots in an InAs matrix”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1523–1527 |
3
|
|
