|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. С. Паршин, С. А. Кущенков, О. П. Пчеляков, Ю. Л. Михлин, “Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO$_{2}$/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 344–349   ; A. S. Parshin, S. A. Kushchenkov, O. P. Pchelyakov, Yu. L. Mikhlin, “Layer-by-layer analysis of the thickness distribution of silicon dioxide in the structure SiO$_{2}$/Si(111) by inelastic electron scattering cross-section spectroscopy”, Semiconductors, 50:3 (2016), 339–344 |
|
2011 |
| 2. |
А. С. Паршин, С. А. Кущенков, Г. А. Александрова, С. Г. Овчинников, “Новые возможности количественного анализа в спектроскопии потерь энергии отраженных электронов структур Fe/Si”, ЖТФ, 81:5 (2011), 69–74 ; A. S. Parshin, S. A. Kushchenkov, G. A. Alexandrova, S. G. Ovchinnikov, “New opportunities for quantitative analysis as applied to reflected electron energy loss spectroscopy of Fe/Si structures”, Tech. Phys., 56:5 (2011), 656–661 |
7
|
|
