|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. Б. Пашковский, “Дно размерной подзоны в сверхрешеткe с сильно связанными мелкими квантовыми ямами”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 22–25   |
| 2. |
А. Б. Пашковский, “Оценка влияния параллельного границе гетероперехода импульса электронов на высоту дна первой подзоны в транзисторных сверхрешетках с тонкими высокими барьерами”, Письма в ЖТФ, 51:17 (2025), 22–24 |
|
2024 |
| 3. |
С. А. Богданов, С. Н. Карпов, Р. А. Котекин, А. Б. Пашковский, “Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 50:14 (2024), 48–50 |
|
2023 |
| 4. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28 |
| 5. |
С. А. Богданов, С. Н. Карпов, А. Б. Пашковский, “Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 28–30 |
| 6. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. В. Пашковская, “GaN-полевой транзистор с эффективным теплоотводом на Si-подложке”, Письма в ЖТФ, 49:2 (2023), 10–13 |
|
2022 |
| 7. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, А. Б. Пашковский, “Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022), 20–23 |
| 8. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14 |
| 9. |
С. А. Богданов, А. А. Борисов, С. Н. Карпов, М. В. Кулиев, А. Б. Пашковский, Е. В. Терёшкин, “Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 44–46 |
|
2021 |
| 10. |
С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 52–54 ; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332 |
|
2019 |
| 11. |
А. Б. Пашковский, И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин, А. Д. Закурдаев, “Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов”, ЖТФ, 89:2 (2019), 252–257 ; A. B. Pashkovskii, I. V. Kulikova, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, N. K. Pristupchik, L. V. Manchenko, V. G. Kalina, M. I. Lopin, A. D. Zakurdaev, “Thermal surface interface for high-power arsenide–gallium heterostructure fets”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 220–225 |
| 12. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, “Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 11–14 ; A. B. Pashkovskii, S. A. Bogdanov, “Localization of upper-valley electrons in a narrow-bandgap channel: a possible additional mechanism of current increase in DA-DpHEMT”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1020–1023 |
1
|
|
2018 |
| 13. |
А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Я. Б. Мартынов, “Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 103–110 ; A. B. Pashkovskii, S. I. Novikov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, Ya. B. Martynov, “Features of the upsurge in drift velocity of electrons in DA-pHEMT”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 804–807 |
3
|
|
2017 |
| 14. |
А. Б. Пашковский, “Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 623–631 ; A. B. Pashkovskii, “Specific features of ballistic electron transport in double-level open systems in a large-amplitude high-frequency electric field”, Semiconductors, 51:5 (2017), 594–603 |
| 15. |
А. Б. Пашковский, “Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 453–460 ; A. B. Pashkovskii, “Dynamics of electron scattering in absolutely transparent channels in three-barrier structures in the case of two-photon transitions”, Semiconductors, 51:4 (2017), 430–437 |
| 16. |
А. Б. Пашковский, С. И. Новиков, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, “Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 42–51 ; A. B. Pashkovskii, S. I. Novikov, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, “A two-dimensional electron gas in donor–acceptor doped backward heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 562–566 |
1
|
|
2016 |
| 17. |
А. А. Борисов, С. С. Зырин, A. А. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, Н. Д. Урсуляк, “Высокая эффективность двухчастотной лазерной генерации в трехбарьерных наноструктурах с баллистическим транспортом электронов”, Письма в ЖТФ, 42:18 (2016), 88–94 ; A. A. Borisov, S. S. Zyrin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, N. D. Ursulyak, “High-efficiency two-frequency laser generation in three-barrier nanostructures with ballistic electron transport”, Tech. Phys. Lett., 42:9 (2016), 970–972 |
2
|
| 18. |
А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016), 41–47 ; A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 |
5
|
|
2015 |
| 19. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 81–87 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, V. G. Lapin, S. V. Sherbakov, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, A. A. Kapralova, “Adjusting the position of the optimum operating point of a power heterostructure field-effect transistor by forming a gate potential barrier based on a donor-acceptor structure”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 142–145 |
2
|
|
2014 |
| 20. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 684–692 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova, “Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping”, Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674 |
26
|
|
2012 |
| 21. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, А. Б. Соколов, “Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 38:17 (2012), 84–89 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, A. B. Sokolov, “Decreasing the role of transverse spatial electron transport and increasing the output power of heterostructure field-effect transistors”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 819–821 |
13
|
|
2011 |
| 22. |
А. Б. Пашковский, “Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 620–624 ; A. B. Pashkovskii, “Splitting of the resonance levels of double-barrier structures in a high microwave electric field”, JETP Letters, 93:10 (2011), 559–563   |
9
|
|
2009 |
| 23. |
А. Б. Пашковский, “Высокая прозрачность двухфотонного канала рассеяния в трехбарьерных структурах”, Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009), 32–37 ; A. B. Pashkovskii, “High transparency of a two-photon scattering channel in triple-barrier structures”, JETP Letters, 89:1 (2009), 30–34 |
19
|
|
2005 |
| 24. |
А. Б. Пашковский, “Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах”, Письма в ЖЭТФ, 82:4 (2005), 228–233 ; A. B. Pashkovskii, “Parity and abrupt broadening of resonance levels in triple-barrier structures”, JETP Letters, 82:4 (2005), 210–214 |
21
|
|
2002 |
| 25. |
Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, “Высокая интенсивность межзонных электронных переходов в двухбарьерных структурах с высокочастотным электрическим полем”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 92–95 ; E. I. Golant, A. B. Pashkovskii, “High intensity of interband transitions in double-barrier structures with a high-frequency electric field”, JETP Letters, 75:2 (2002), 83–86 |
|
2001 |
| 26. |
А. Б. Пашковский, “Влияние виртуальных переходов в высокочастотном поле на электронный транспорт в трехбарьерных структурах”, Письма в ЖЭТФ, 73:11 (2001), 698–701 ; A. B. Pashkovskii, “Effects of virtual transitions in a high-frequency field on electron transport in triple-barrier structures”, JETP Letters, 73:11 (2001), 617–620 |
1
|
|
1999 |
| 27. |
Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, “Границы применимости двухуровневых моделей резонансного взаимодействия электронов с переменным электрическим полем в двухбарьерных структурах”, ТМФ, 120:2 (1999), 332–341  ; E. I. Golant, A. B. Pashkovskii, “Application restrictions for two-level models of the resonance interaction of electrons with an alternating electric field in two-barrier structures”, Theoret. and Math. Phys., 120:2 (1999), 1094–1101 |
11
|
|
1992 |
| 28. |
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер, “Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1574–1579 |
|
