|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. А. Богданов, С. Н. Карпов, Р. А. Котекин, А. Б. Пашковский, “Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 50:14 (2024), 48–50   |
|
2023 |
| 2. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28 |
| 3. |
С. А. Богданов, С. Н. Карпов, А. Б. Пашковский, “Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 28–30 |
|
2022 |
| 4. |
А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14 |
| 5. |
С. А. Богданов, А. А. Борисов, С. Н. Карпов, М. В. Кулиев, А. Б. Пашковский, Е. В. Терёшкин, “Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 44–46 |
|
