|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. Е. Дураков, А. С. Петров, Д. И. Рогило, А. А. Макеева, Д. А. Насимов, Д. Ф. Никифоров, Н. Н. Курусь, А. Г. Милехин, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 102–108  |
|
2024 |
| 2. |
М. А. Демьяненко, И. В. Марчишин, Д. В. Щеглов, В. В. Старцев, “Регистрация импульсного терагерцового излучения неохлаждаемыми матричными микроболометрическими приемниками”, ЖТФ, 94:8 (2024), 1372–1381  |
| 3. |
С. А. Пономарев, Д. И. Рогило, В. А. Голяшов, Д. А. Насимов, К. А. Кох, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi$_2$Se$_3$(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 606–611 |
| 4. |
С. А. Пономарев, Н. Н. Курусь, В. А. Голяшов, А. Ю. Миронов, Д. И. Рогило, А. Г. Милехин, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Фазовый переход $\beta\Longleftrightarrow\beta'$ с температурным гистерезисом в пленках In$_2$Se$_3$”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 370–375 |
| 5. |
Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, А. В. Антонов, Л. В. Красильникова, Д. А. Шмырин, П. А. Юнин, З. Ф. Красильник, С. В. Ситников, Д. В. Щеглов, “Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений”, Письма в ЖТФ, 50:10 (2024), 22–25 |
|
2018 |
| 6. |
К. Н. Астанкова, А. С. Кожухов, И. А. Азаров, Е. Б. Горохов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 696–700 ; K. N. Astankova, A. S. Kozhukhov, I. A. Azarov, E. B. Gorokhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Local anodic oxidation of thin GeO films and formation of nanostructures based on them”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 700–704 |
2
|
|
2017 |
| 7. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109   |
5
|
| 8. |
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 443–445 ; A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Reversible electrochemical modification of the surface of a semiconductor by an atomic-force microscope probe”, Semiconductors, 51:4 (2017), 420–422 |
2
|
|
2016 |
| 9. |
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 918–920 ; A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Indium nanowires at the silicon surface”, Semiconductors, 50:7 (2016), 901–903 |
|
2015 |
| 10. |
В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40 ; V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 |
4
|
|
2014 |
| 11. |
В. А. Володин, М. П. Синюков, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, Е. В. Федосенко, “Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 185–189 ; V. A. Volodin, M. P. Sinyukov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, E. V. Fedosenko, “Raman scattering in PbTe and PbSnTe films: In situ phase transformations”, Semiconductors, 48:2 (2014), 173–177 |
7
|
|
2013 |
| 12. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
12
|
| 13. |
Н. А. Валишева, В. Н. Кручинин, О. Е. Терещенко, А. С. Кожухов, Т. А. Левцова, С. В. Рыхлицкий, Д. В. Щеглов, “Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 532–537 ; N. A. Valisheva, V. N. Kruchinin, O. E. Tereshchenko, A. S. Kozhukhov, T. A. Levtsova, S. V. Rykhlitskii, D. V. Shcheglov, “Study of the morphology and optical properties of anodic oxide layers on InAs (111)III”, Semiconductors, 47:4 (2013), 555–560 |
1
|
|
2012 |
| 14. |
В. А. Володин, А. С. Кожухов, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов, “Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А”, Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012), 76–79 ; V. A. Volodin, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, D. V. Shcheglov, “Folding of acoustic-phonon modes in GaAs/AlAs (311)A superlattices in the direction perpendicular to nanofacets”, JETP Letters, 95:2 (2012), 70–73 |
4
|
|
2008 |
| 15. |
С. П. Супрун, Д. В. Щеглов, “Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF$_2$ и BaF$_2$ на Si”, Письма в ЖЭТФ, 88:6 (2008), 421–425 ; S. P. Suprun, D. V. Shcheglov, “Effect of an electron beam on CaF<sub>2</sub> and BaF<sub>2</sub> epitaxial layers on Si”, JETP Letters, 88:6 (2008), 365–369 |
3
|
|
2007 |
| 16. |
Д. А. Козлов, З. Д. Квон, А. Е. Плотников, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Кондактанс коротких квантовых проволок с резкими границами”, Письма в ЖЭТФ, 86:10 (2007), 752–756 ; D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, A. E. Plotnikov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Conductance of short quantum wires with sharp boundaries”, JETP Letters, 86:10 (2007), 662–665 |
3
|
|
2005 |
| 17. |
Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Температурная зависимость осцилляций Ааронова–Бома в малых квазибаллистических интерферометрах”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 762–765 ; E. B. Olshanetskii, Z. D. Kvon, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Temperature dependence of Aharonov-Bohm oscillations in small quasi-ballistic interferometers”, JETP Letters, 81:12 (2005), 625–628 |
10
|
|
2004 |
| 18. |
В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, А. Л. Асеев, “Амплитуда осцилляций Ааронова–Бома в малых баллистических интерферометрах”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004), 168–172 ; V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, O. A. Tkachenko, D. G. Baksheev, A. L. Aseev, “Aharonov–Bohm oscillation amplitude in small ballistic interferometers”, JETP Letters, 79:3 (2004), 136–140 |
20
|
|
2003 |
| 19. |
А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами”, Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003), 794–797 ; A. K. Bakarov, A. A. Bykov, N. D. Aksenova, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Commensurate oscillations of the magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in GaAs quantum wells with corrugated heteroboundaries”, JETP Letters, 77:12 (2003), 662–665 |
6
|
|
