|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. А. Маслова, Д. В. Данилов, О. Ф. Вывенко, В. А. Скуратов, В. А. Володин, А. Е. Калядин, Н. А. Соболев, “Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 298–301  |
|
2019 |
| 2. |
С. Г. Черкова, В. А. Скуратов, В. А. Володин, “Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1467–1470  ; S. G. Cherkova, V. A. Skuratov, V. A. Volodin, “Luminescent properties of float zone silicon irradiated with swift heavy ions”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1427–1430 |
6
|
| 3. |
В. В. Привезенцев, В. С. Куликаускас, В. А. Скуратов, О. С. Зилова, А. А. Бурмистров, М. Ю. Пресняков, А. В. Горячев, “Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от флюенса облучения ионами $^{132}$Xe$^{26+}$ с энергией 167 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 332–339 ; V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskas, V. A. Skuratov, O. S. Zilova, A. A. Burmistrov, M. Yu. Presniakov, A. V. Goryachev, “Structure and properties of Zn-implanted Si near-surface layer modification depending on irradiation fluence of $^{132}$Xe$^{26+}$ ions with energy of 167 MeV”, Semiconductors, 53:3 (2019), 313–320 |
|
2015 |
| 4. |
Е. В. Калинина, А. А. Лебедев, Е. Богданова, B. Berenquier, L. Ottaviani, Г. Н. Виолина, В. А. Скуратов, “Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 550–556 ; E. V. Kalinina, A. A. Lebedev, E. Bogdanova, B. Berenquier, L. Ottaviani, G. N. Violina, V. A. Skuratov, “Irradiation of 4H-SiC UV detectors with heavy ions”, Semiconductors, 49:4 (2015), 540–546 |
21
|
| 5. |
Е. В. Калинина, Н. А. Чучвага, Е. В. Богданова, В. А. Скуратов, “Эффект дальнодействия в 6H-SiC при облучении ионами Хе”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 47–53 ; E. V. Kalinina, N. A. Chuchvaga, E. V. Bogdanova, V. A. Skuratov, “The long-range effect in 6H-SiC under irradiation with Xe ions”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 433–435 |
|
2014 |
| 6. |
Е. В. Калинина, Н. А. Чучвага, Е. В. Богданова, А. М. Стрельчук, Д. Б. Шустов, М. В. Заморянская, В. А. Скуратов, “Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 167–174 ; E. V. Kalinina, N. A. Chuchvaga, E. V. Bogdanova, A. M. Strel'chuk, D. B. Shustov, M. V. Zamoryanskaya, V. A. Skuratov, “Optical and electrical properties of 4H-SiC irradiated with Xe ions”, Semiconductors, 48:2 (2014), 156–162 |
10
|
|
2013 |
| 7. |
Ю. И. Латышев, А. П. Орлов, А. В. Фролов, В. А. Волков, И. В. Загороднев, В. А. Скуратов, Ю. В. Петров, О. Ф. Вывенко, Д. Ю. Иванов, М. Конзиковски, П. Монсо, “Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в
наноперфорированном графене”, Письма в ЖЭТФ, 98:4 (2013), 242–246 ; Yu. I. Latyshev, A. P. Orlov, A. V. Frolov, V. A. Volkov, I. V. Zagorodnev, V. A. Skuratov, Yu. V. Petrov, O. F. Vyvenko, D. Yu. Ivanov, M. Konczykowski, P. Monceau, “Orbital quantization in a system of edge Dirac fermions in nanoperforated graphene”, JETP Letters, 98:4 (2013), 214–218   |
14
|
| 8. |
Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, В. А. Володин, А. Г. Черков, А. Х. Антоненко, Г. Н. Камаев, В. А. Скуратов, “Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 334–339 ; G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, D. V. Marin, V. A. Volodin, A. G. Cherkov, A. Kh. Antonenko, G. N. Kamaev, V. A. Skuratov, “Influence of irradiation with swift heavy ions on multilayer Si/SiO$_2$ heterostructures”, Semiconductors, 47:3 (2013), 358–364 |
3
|
|
2006 |
| 9. |
В. И. Балыкин, П. А. Борисов, В. С. Летохов, П. Н. Мелентьев, С. Н. Руднев, А. П. Черкун, А. П. Акименко, П. Ю. Апель, В. А. Скуратов, “Атомная “камера-обскура” с нанометровым разрешением”, Письма в ЖЭТФ, 84:8 (2006), 544–547 ; V. I. Balykin, P. A. Borisov, V. S. Letokhov, P. N. Melent'ev, S. N. Rudnev, A. P. Cherkun, A. P. Akimenko, P. Yu. Apel', V. A. Skuratov, “Atom “pinhole camera” with nanometer resolution”, JETP Letters, 84:8 (2006), 466–469 |
24
|
|
1991 |
| 10. |
А. А. Астапов, А. Ю. Климов, В. Н. Леонов, Д. Г. Павельев, В. А. Скуратов, И. А. Хребтов, “Аномальное поведение токового шума в YBaCuO микроболометрах
выше $T_{c}$”, Письма в ЖТФ, 17:8 (1991), 9–13 |
| 11. |
Д. В. Акиньшин, А. А. Астапов, Л. Н. Зайцев, А. Ю. Климов, В. Н. Леонов, С. П. Молодняков, Д. Г. Павельев, В. К. Панкратов, В. А. Скуратов, И. А. Хребтов, “Исследование воздействия пучков ионов $^{84}$Kr и $^{16}$O$_{2}$
на шумовые характеристики YBaCuO микроболометров”, Письма в ЖТФ, 17:2 (1991), 9–14 |
|
1989 |
| 12. |
А. Ю. Дидык, Р. Ц. Оганесян, В. Р. Регель, В. А. Скуратов, “Влияние ионизационных и ядерных потерь энергии тяжелых ионов на дефектообразование в кристаллах LiF”, Физика твердого тела, 31:7 (1989), 17–21 |
| 13. |
А. Ю. Дидык, В. Р. Регель, В. А. Скуратов, Н. Ю. Михайлова, “Радиационное упрочнение металлов, облученных тяжелыми ионами”, ЖТФ, 59:5 (1989), 107–111 |
| 14. |
А. И. Гирка, Е. Б. Клопиков, В. А. Скуратов, А. В. Шишкин, “Исследование методом аннигиляции позитронов дефектов в монокристаллах
кремния, облученных ионами ксенона”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 328–331 |
|
1987 |
| 15. |
В. Р. Регель, В. А. Никитенко, И. П. Кузьмина, В. Г. Галстян, Т. П. Долуханян, С. Ф. Никульшин, Н. Л. Сизова, В. А. Скуратов, “Влияние бомбардировки тяжелыми ионами высоких энергий
на оптические свойства и дефекты в монокристаллах окиси цинка”, ЖТФ, 57:2 (1987), 306–310 |
| 16. |
В. С. Вариченко, Е. Д. Воробьев, А. М. Зайцев, В. А. Лаптев, М. И. Самойлович, В. А. Скуратов, В. Ф. Стельмах, “Дефектообразование в синтетическом алмазе при высокоэнергетичной
ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1095–1100 |
|
1983 |
| 17. |
Е. Д. Воробьев, В. Р. Регель, Д. Сенеш, В. А. Скуратов, “Влияние высокоэнергетичного ионного облучения на ползучесть алюминия”, ЖТФ, 53:9 (1983), 1804–1808 |
|
